Transistor bipolaire 2SB1250

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1250

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1250

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1250 peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1250-P est compris entre 5000 à 15000, celui du 2SB1250-Q entre 8000 à 30000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1250 peut n'être marqué que B1250.

Complémentaire du transistor 2SB1250

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1250 est le 2SD1890.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1250

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1250 par 2SA1488A, 2SA771, 2SB1024, 2SB1226, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1251, 2SB1252, 2SB1481, 2SB1626, 2SB884, 2SB885, 2SB886, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP146T ou TIP147T.
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