Transistor bipolaire BDT86F

Caractéristiques électriques du transistor BDT86F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 36 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du BDT86F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT86F

Le transistor NPN complémentaire du BDT86F est le BDT85F.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT86F

Vous pouvez remplacer le transistor BDT86F par BD546C, BDT86, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 ou MJF6668G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com