Transistor bipolaire MJE15031G

Caractéristiques électriques du transistor MJE15031G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le MJE15031G est la version sans plomb du transistor MJE15031

Brochage du MJE15031G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE15031G

Le transistor NPN complémentaire du MJE15031G est le MJE15030G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE15031G

Vous pouvez remplacer le transistor MJE15031G par BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15031, MJE15033, MJE15033G, MJF15031 ou MJF15031G.
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