Transistor bipolaire BDT86

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT86 est le BDT85.Vous pouvez remplacer le transistor BDT86 par BD546C, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 ou MJF6668G.