Transistor bipolaire BDT60B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT60B est le BDT61B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT60B par 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1481, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BD650, BD652, BD902, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54C, BDW54D, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T ou TTB1020B.