Transistor bipolaire BDT88F

Caractéristiques électriques du transistor BDT88F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 36 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du BDT88F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT88F

Le transistor NPN complémentaire du BDT88F est le BDT87F.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT88F

Vous pouvez remplacer le transistor BDT88F par BDT88, BDW48, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O ou FJPF1943R.
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