Transistor bipolaire BDT88F
Caractéristiques électriques du transistor BDT88F
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
- Tension collecteur-base maximum: -120 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -15 A
- Dissipation de puissance maximum: 36 W
- Gain de courant (hfe): 40
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
Brochage du BDT88F
Complémentaire du transistor BDT88F
Substituts et équivalents pour le transistor BDT88F
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