Transistor bipolaire BD650

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 62.5 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD650 est le BD649.Vous pouvez remplacer le transistor BD650 par 2N6042, 2N6042G, 2SB1228, 2SB886, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G ou TIP147T.