Transistor bipolaire MJE15029G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE15029G est la version sans plomb du transistor MJE15029

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE15029G est le MJE15028G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE15029G par 2SA1077, BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15029, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.