Transistor bipolaire BDT88

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT88 est le BDT87.Vous pouvez remplacer le transistor BDT88 par BDT88F, BDW48, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O ou FJPF1943R.