Transistor bipolaire BD652

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -140 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 62.5 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD652 est le BD651.Vous pouvez remplacer le transistor BD652 par BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW74D ou BDX34D.