Transistor bipolaire 2SB886

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 1500
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB886 peut n'être marqué que B886.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB886 par 2SB1228, MJF6668 ou MJF6668G.