Transistor bipolaire BD648

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 62.5 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD648 est le BD647.Vous pouvez remplacer le transistor BD648 par 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1228, 2SB886, 2SB951A, 2SB951A-P, 2SB951A-Q, BD650, BD652, BD900, BD900A, BD902, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T ou TIP147T.