Transistor bipolar 2SB1250

Características del transistor 2SB1250

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 30000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1250

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1250 puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 30000. La ganancia del 2SB1250-P estará en el rango de 5000 a 15000, para el 2SB1250-Q estará en el rango de 8000 a 30000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1250 puede estar marcado sólo como "B1250".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1250 es el 2SD1890.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1250

Puede sustituir el 2SB1250 por el 2SA1488A, 2SA771, 2SB1024, 2SB1226, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1251, 2SB1252, 2SB1481, 2SB1626, 2SB884, 2SB885, 2SB886, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP146T o TIP147T.
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