Transistor bipolaire BD802

Caractéristiques électriques du transistor BD802

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 30
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD802

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD802

Le transistor NPN complémentaire du BD802 est le BD801.

Substituts et équivalents pour le transistor BD802

Vous pouvez remplacer le transistor BD802 par 2N6042, 2N6042G, 2SA1077, 2SB1228, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G ou TIP147T.
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