Transistor bipolaire MJE15029

Caractéristiques électriques du transistor MJE15029

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du MJE15029

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE15029

Le transistor NPN complémentaire du MJE15029 est le MJE15028.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE15029

Vous pouvez remplacer le transistor MJE15029 par 2SA1077, BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.

Version sans plomb

Le transistor MJE15029G est la version sans plomb du MJE15029.
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