Transistor bipolaire BDT64B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT64B est le BDT65B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT64B par BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 ou MJF6668G.