Bipolartransistor 2N6045G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6045G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der 2N6045G ist die bleifreie Version des 2N6045-Transistors

Pinbelegung des 2N6045G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

2N6045G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6045G ist der 2N6042G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6045G

Sie können den Transistor 2N6045G durch einen 2N6045, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G oder TIP142T ersetzen.
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