Bipolartransistor BDT65B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT65B

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT65B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT65B ist der BDT64B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT65B

Sie können den Transistor BDT65B durch einen BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.

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