Bipolartransistor BDX33C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX33C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDX33C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDX33C equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX33C ist der BDX34C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX33C

Sie können den Transistor BDX33C durch einen BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93C, BDW93CF, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G oder TIP142T ersetzen.

Bleifreie Version

Der BDX33CG-Transistor ist die bleifreie Version des BDX33C.
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