Transistor bipolaire 2N6045G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6045G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 75 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 20000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le 2N6045G est la version sans plomb du transistor 2N6045

Brochage du 2N6045G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

2N6045G equivalent circuit

Complémentaire du transistor 2N6045G

Le transistor PNP complémentaire du 2N6045G est le 2N6042G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6045G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6045G par 2N6045, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G ou TIP142T.
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