Bipolartransistor MJE15030

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15030

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE15030

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE15030 ist der MJE15031.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15030

Sie können den Transistor MJE15030 durch einen BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE15030G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE15030.
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