Bipolartransistor MJE15030
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15030
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des MJE15030
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15030
Bleifreie Version
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