Bipolartransistor MJE15030G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15030G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15030G ist die bleifreie Version des MJE15030-Transistors

Pinbelegung des MJE15030G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE15030G ist der MJE15031G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15030G

Sie können den Transistor MJE15030G durch einen BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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