Bipolartransistor TIP102G

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP102G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der TIP102G ist die bleifreie Version des TIP102-Transistors

Pinbelegung des TIP102G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

TIP102G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP102G ist der TIP107G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP102G

Sie können den Transistor TIP102G durch einen 2N6045, 2N6045G, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102 oder TIP142T ersetzen.
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