Bipolartransistor BDT87
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT87
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDT87
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT87
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