Bipolartransistor BDT63B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT63B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT63B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT63B ist der BDT62B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT63B

Sie können den Transistor BDT63B durch einen BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G oder TIP142T ersetzen.
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