Bipolartransistor BDX53C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX53C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDX53C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDX53C equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX53C ist der BDX54C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX53C

Sie können den Transistor BDX53C durch einen 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1196, 2SD1830, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G oder TIP142T ersetzen.

Bleifreie Version

Der BDX53CG-Transistor ist die bleifreie Version des BDX53C.
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