Bipolartransistor BD649

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 62.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD649 ist der BD650.Sie können den Transistor BD649 durch einen 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1196, 2SD1830, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G oder TIP142T ersetzen.