Transistor bipolar 2N6045G

Características del transistor 2N6045G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El 2N6045G es la versión sin plomo del transistor 2N6045

Diagrama de pines del 2N6045G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

2N6045G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N6045G es el 2N6042G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6045G

Puede sustituir el 2N6045G por el 2N6045, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G o TIP142T.
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