Bipolartransistor MJF15030G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF15030G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 36 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular MJE15030G transistor
- Der MJF15030G ist die bleifreie Version des MJF15030-Transistors
Pinbelegung des MJF15030G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF15030G
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