Bipolartransistor BDT85F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT85F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT85F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT85F ist der BDT86F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT85F

Sie können den Transistor BDT85F durch einen BD545C, BDT85, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.
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