Bipolartransistor BDX53CG
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX53CG
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 60 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der BDX53CG ist die bleifreie Version des BDX53C-Transistors
Pinbelegung des BDX53CG
Equivalent circuit
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX53CG
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