Transistor bipolar BDW47G

Características del transistor BDW47G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 85 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El BDW47G es la versión sin plomo del transistor BDW47

Diagrama de pines del BDW47G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDW47G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDW47G es el BDW42G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW47G

Puede sustituir el BDW47G por el BDW47, BDW48, MJF6668 o MJF6668G.
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