Transistor bipolar BD810

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 90 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 30
• Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BD810 es el BD809.Puede sustituir el BD810 por el 2N6668, 2N6668G, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1329-Y, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452-Y, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SA1452A-Y, BD546B, BD546C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, MJF6668, MJF6668G, TIP146T, TIP147T, TTA1452B o TTB1452B.