Transistor bipolar BD900
Características del transistor BD900
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 70 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD900
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor NPN complementario
El transistor
NPN complementario del BD900 es el
BD899.
Sustitución y equivalentes para el transistor BD900
Puede sustituir el BD900 por el
2N6041,
2N6041G,
2N6042,
2N6042G,
2N6668,
2N6668G,
2SB1228,
2SB886,
2SB951A,
2SB951A-P,
2SB951A-Q,
BD648,
BD650,
BD652,
BD900A,
BD902,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP106,
TIP106G,
TIP107,
TIP107G,
TIP136,
TIP136G,
TIP137,
TIP137G,
TIP146T o
TIP147T.
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