Transistor bipolar BD652

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 62.5 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BD652 es el BD651.Puede sustituir el BD652 por el BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW74D o BDX34D.