Transistor bipolar MJE15029G

Características del transistor MJE15029G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE15029G es la versión sin plomo del transistor MJE15029

Diagrama de pines del MJE15029G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE15029G es el MJE15028G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE15029G

Puede sustituir el MJE15029G por el 2SA1077, BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15029, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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