Transistor bipolar BDT62A

Características del transistor BDT62A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT62A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT62A es el BDT63A.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT62A

Puede sustituir el BDT62A por el 2N6668, 2N6668G, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP146T o TIP147T.
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