Transistor bipolar 2SB1626

Características del transistor 2SB1626

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -110 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 30000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1626

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1626 puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 30000. La ganancia del 2SB1626-O estará en el rango de 5000 a 12000, para el 2SB1626-P estará en el rango de 6500 a 20000, para el 2SB1626-Y estará en el rango de 15000 a 30000.

Equivalent circuit

2SB1626 equivalent circuit

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1626 puede estar marcado sólo como "B1626".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1626 es el 2SD2495.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1626

Puede sustituir el 2SB1626 por el BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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