Transistor bipolar BDT86

Características del transistor BDT86

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT86

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT86 es el BDT85.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT86

Puede sustituir el BDT86 por el BD546C, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 o MJF6668G.
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