Transistor bipolar BDT88
Características del transistor BDT88
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
- Disipación de Potencia Máxima: 125 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 40
- Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDT88
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDT88
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