Transistor bipolar BD802

Características del transistor BD802

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 65 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD802

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD802 es el BD801.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD802

Puede sustituir el BD802 por el 2N6042, 2N6042G, 2SA1077, 2SB1228, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G o TIP147T.
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