Transistor bipolar BDT64A

Características del transistor BDT64A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT64A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT64A es el BDT65A.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT64A

Puede sustituir el BDT64A por el BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 o MJF6668G.
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