Bipolartransistor BD130

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD130

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BD130

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD130

Sie können den Transistor BD130 durch einen 2N3055, 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G oder NTE130 ersetzen.
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