Bipolartransistor 2N5886G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5886G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der 2N5886G ist die bleifreie Version des 2N5886-Transistors
Pinbelegung des 2N5886G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5886G
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