Bipolartransistor 2N5886G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3
• Der 2N5886G ist die bleifreie Version des 2N5886-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5886G ist der 2N5884G.Sie können den Transistor 2N5886G durch einen 2N5671, 2N5672, 2N5886, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.