Bipolartransistor 2N5630

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5630

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5630

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5630 ist der 2N6030.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5630

Sie können den Transistor 2N5630 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039 oder 2N5672 ersetzen.

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