Bipolartransistor 2N5885

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5885

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5885

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5885 ist der 2N5883.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5885

Sie können den Transistor 2N5885 durch einen 2N5671, 2N5672, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N5885G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N5885.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com