Bipolartransistor 2N6471

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6471

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6471

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6471

Sie können den Transistor 2N6471 durch einen 2N6472, KD502 oder KD503 ersetzen.
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