Bipolartransistor 2N6472

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6472

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6472

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6472

Sie können den Transistor 2N6472 durch einen KD503 ersetzen.
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