Bipolartransistor MJ14000

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ14000

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 60 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ14000

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ14000 ist der MJ14001.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ14000

Sie können den Transistor MJ14000 durch einen MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ14000G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ14000.
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