Bipolartransistor 2N3055

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3055

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 115 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N3055

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N3055 ist der MJ2955.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3055

Sie können den Transistor 2N3055 durch einen 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G oder NTE130 ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N3055G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N3055.
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