Bipolartransistor 2N3055
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3055
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 115 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N3055
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3055
Bleifreie Version
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com